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HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
SPD-表PC66模块
（续）
字节描述
SPD项值
（十六进制）
8M×64 8M×72 16M×64 16M×72
-10
-10
-10
-10
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
SDRAM器件的属性：
一般
分钟。时钟周期时间在
CAS延时= 2
马克斯。从数据访问时间
时钟CL = 2
最小时钟周期时间
在CL = 1
最大数据访问
从时钟在CL = 1时
最小行预充电
时间
最小行主动向
行主动延迟
t
RRD
最低RAS到CAS延迟
V
CC
托尔
±
10%
15.0纳秒
9.0纳秒
不支持
不支持
30纳秒
20纳秒
30纳秒
45纳秒
64兆字节
3纳秒
1纳秒
1纳秒
06
F0
90
FF
FF
1E
14
1E
2D
10
30
10
30
10
FF
06
F0
90
FF
FF
1E
14
1E
2D
10
30
10
30
10
FF
12
C2
XX
06
F0
90
FF
FF
1E
14
1E
2D
10
30
10
30
10
FF
12
B1
XX
06
F0
90
FF
FF
1E
14
1E
2D
10
30
10
30
10
FF
12
C3
XX
t
RCD
最低RAS脉冲宽度
t
RAS
模块库密度（每
银行）
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立
时间
SDRAM的数据输入保持时间3纳秒
62-61超集信息
（可能在将来使用）
62
63
64-
125
126
127
128+
SPD修订
校验和字节0 - 62
厂家信息
（可选）
(FF
H
如果未使用）
频率规格
详细
未使用的存储位置
66兆赫
修订版1.2
12
B0
XX
66
AF
FF
66
AF
FF
66
FF
FF
66
FF
FF
半导体集团
16
1998-08-01
