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WF8M32-XG4DX5
HI-可靠性产品
8Mx32 5V闪存模块
特点
s
100访问时间， 120为150ns
s
包装：
高级*
s
s
s
s
s
s
68引线40毫米（ 1.560" ）方形密封CQFP ， 5.2毫米
（ 0.205" ）高（ 503包）
部门架构
每个每个2Mx8芯片64K字节的32大小相等的行业
任何部门的结合可以被删除。还支持
整片擦除。
100,000次写/擦除周期最短
组织为8Mx32
商业，工业和军用温度范围内
5伏的读取和写入。 5V
±
10％的供应。
低功耗CMOS
s
数据轮询和切换位功能的检测方案
或擦除周期结束。
s
支持读取或编程数据到一个部门不作为
删除。
s
RESET引脚复位内部状态机读方式。
（不适用于HIP包WF2M32 - XHX5 ）
s
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行，独立的电源层和接地层来
提高抗干扰能力。
s
内置缓冲。
*此数据表描述了一种产品，它可能是也可能不是下
发展，并随时更改或取消，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5
应用笔记。
图。 1
引脚配置WF8M32 ， XG4DX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-22
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
WE
CS
1-4
OE
V
CC
RESET
GND
NC
框图
接口
RESET
CS
1-4
WE
OE
A
0-22
1
4
1
1
23
1
4
1
1
23
CS
1
2M ×8
CS
2
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
8-15
8
CS
3
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
16-23
8
CS
4
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
24-31
8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
A
19
A
20
RESET
A21
A22
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
0-7
8
32
I / O
0-31
CS
1
选择I / O
0-7
， CS
2
选择I / O
8-15
， CS
3
选择I / O
16-23
， CS
4
选择I / O
24-31
1999年10月第3版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
