怀特电子设计
8Mx32 5V闪存模块
特点
100访问时间， 120为150ns
包装：
68引线40毫米（ 1.560" ）方形密封CQFP ，
5.2毫米（ 0.205" ）高（ 503包）
部门架构
按每个2Mx8 64K字节的32大小相等的行业
芯片
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
100,000次写/擦除周期最短
组织为8Mx32
商业，工业和军用温度
范围
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
低功耗CMOS
WF8M32-XG4DX5
高级*
数据＃投票和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
RESET ＃引脚复位内部状态机的
阅读模式。 （不适用于用在HIP包
WF2M32-XHX5)
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行，独立电源和
接地层，以提高抗干扰能力。
内置缓冲。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：编程信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
图1 - PIN CONFIGURATIONFOR
WF8M32-XG4DX5
顶视图
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS1#
GND
CS3#
WE＃
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
引脚说明
I/O0-31
A0-22
WE
CS1-4
OE
VCC
RESET
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
框图
RESET＃
CS1-4#
WE＃
OE ＃
A0-22
1
1
接口
4
1
1
23
4
1
1
23
CS
1#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
0-7
8
32
CS
2#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
8-15
8
CS
3#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
16-23
8
CS
4#
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
24-31
8
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS2#
OE ＃
CS4#
A17
A18
A19
A20
A21
RESET＃
A22
I / O
0-31
CS1 ＃选择I / O0-7 ， CS2 ＃选择I / O8-15 ， CS3 ＃选择I / O16-23 ， CS4 ＃选择I / O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
数据保留（MIL温度）
符号
V
T
P
T
T
英镑
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
WF8M32-XG4DX5
先进
电容
T
A
= +25°C
符号
参数
OE ＃电容
C
OE
WE＃电容
C
WE
CS1-4 ＃电容
C
CS
数据I / O容量
C
I / O
地址输入电容
C
AD
RESET ＃电容
C
RST
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
20
20
20
60
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
—
—
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时， RESET ＃ = V
CC
± 0.3V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
640
960
160
0.45
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
0.85× V
CC
3.2
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率相关元件（ @为5MHz ） 。
的频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
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V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
RESET＃脉冲宽度
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF8M32-XG4DX5
先进
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
民
100
0
50
0
50
0
50
20
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
ns
ns
单位
300
15
0
50
44
256
t
OEH
t
RP
10
500
10
500
0
50
300
15
0
50
44
256
10
500
300
15
44
256
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址输出保持， CS ＃或OE ＃
变化，无论是科幻RST
RST低到读模式（ 1 ）
1.由设计保证，未经测试。
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
TREADY
-100
民
100
最大
100
100
50
30
30
0
20
0
民
120
-120
最大
120
120
50
30
30
0
20
民
150
-150
最大
150
150
55
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
20
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怀特电子设计
V
CC
= 3.3V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间（ 2 ）
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
WF8M32-XG4DX5
先进
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - CS ＃控制
符号
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
民
100
0
50
0
50
0
50
20
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
300
15
0
100
480
t
OEH
10
10
0
300
15
0
100
480
10
300
15
100
480
图2 - AC测试电路
参数
I
OL
电流源
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
≈
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
图3 - 复位时序图
RESET＃
t
RP
t
准备
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
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WF8M32-XG4DX5
先进
图4 - AC波形读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
地址
WE＃
OE ＃
CS ＃
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输出
高Z
输出有效
IG
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HI-可靠性产品
8Mx32 5V闪存模块
特点
s
100访问时间， 120为150ns
s
包装：
高级*
s
s
s
s
s
s
68引线40毫米（ 1.560" ）方形密封CQFP ， 5.2毫米
（ 0.205" ）高（ 503包）
部门架构
每个每个2Mx8芯片64K字节的32大小相等的行业
任何部门的结合可以被删除。还支持
整片擦除。
100,000次写/擦除周期最短
组织为8Mx32
商业，工业和军用温度范围内
5伏的读取和写入。 5V
±
10％的供应。
低功耗CMOS
s
数据轮询和切换位功能的检测方案
或擦除周期结束。
s
支持读取或编程数据到一个部门不作为
删除。
s
RESET引脚复位内部状态机读方式。
（不适用于HIP包WF2M32 - XHX5 ）
s
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行，独立的电源层和接地层来
提高抗干扰能力。
s
内置缓冲。
*此数据表描述了一种产品，它可能是也可能不是下
发展，并随时更改或取消，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5
应用笔记。
图。 1
引脚配置WF8M32 ， XG4DX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-22
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
WE
CS
1-4
OE
V
CC
RESET
GND
NC
框图
接口
RESET
CS
1-4
WE
OE
A
0-22
1
4
1
1
23
1
4
1
1
23
CS
1
2M ×8
CS
2
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
8-15
8
CS
3
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
16-23
8
CS
4
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
24-31
8
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
A
19
A
20
RESET
A21
A22
2M ×8
2M ×8
2M ×8
I / O
0-7
8
32
I / O
0-31
CS
1
选择I / O
0-7
， CS
2
选择I / O
8-15
， CS
3
选择I / O
16-23
， CS
4
选择I / O
24-31
1999年10月第3版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WF8M32-XG4DX5
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
数据保留（MIL温度）
符号
V
T
P
T
TSTG
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
参数
OE电容
WE电容
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
RESET电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
C
RST
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= O V，F = 1.0 MHz的
最大单位
20
20
20
60
20
20
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容
(T
A
= +25°C)
建议的直流工作条件
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
-
-
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时， RESET = VCC
±
0.3V
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
0.85 x
VCC
3.2
4.2
民
最大
10
10
640
960
160
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率相关元件（ @为5MHz ） 。的频率成分一般小于
2毫安/兆赫，与OE在V
IH
.
2. ICC活跃，而嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
2
WF8M32-XG4DX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作 - 我们控制
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
复位脉冲宽度
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
t
OEH
t
RP
10
500
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
44
256
10
500
符号
民
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
100
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
44
256
10
500
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
44
256
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
输出保持从地址， CS或OE变化，
取其科幻RST
RST低到读模式（ 1 ）
1.由设计保证，未经测试。
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
准备
0
20
100
100
100
50
30
30
0
20
-100
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
20
-120
最大
民
150
150
150
55
35
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
单位
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
WF8M32-XG4DX5
交流特性？写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
t
OEH
10
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
100
480
10
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
100
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
100
480
10
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
100
480
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
图。 2
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
D.U.T.
V
Z
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
≈
1.5V
输出时序参考电平
C
EFF
= 50 pF的
（双极性电源供电）
CS
I
OH
电流源
该
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整以
WE信号
的最后的上升沿
模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
WE
图。 3
整个编程
或擦除操作
t
忙
RY / BY
复位时序图
RESET
t
RP
t
准备
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4
WF8M32-XG4DX5
图。 4
AC波形进行读操作
t
DF
t
OH
地址稳定
t
RC
t
OE
t
加
t
CE
WE
OE
地址
5
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输出
CS
高Z
输出有效
高Z
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