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W25P10 , W25P20与W25P40
1M位, 2M位和4M位
串行闪存与40MHz的SPI
正式NexFlash NX25P10 , NX25P20和NX25P40
Winbond的W25P10 / 20 / 40顷与前NexFlash完全兼容
NX25P10 /四十○分之二十零串行闪存。
-1-
出版日期: 2005年11月28日
M修订版
W25P10 , W25P20与W25P40
表盒内的
1.
2.
3.
4.
概述......................................................................................................... 4
特点................................................................................................................................. 4
引脚配置...............................................................................................................五
PIN DESCRIPTION.....................................................................................................................五
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
5.
6.
封装类型...............................................................................................................五
片选( / CS ) ............................................................................................................五
串行数据输出( DO ) ............................................ .................................................. 6 ...
写保护(/WP)......................................................................................................... 6
HOLD ( / HOLD ) ............................................................................................................... 6
串行时钟(CLK ) .......................................................................................................... 6
串行数据输入( DI ) ...................................................................................................... 6
框图...................................................................................................................... 7
功能说明................................................ .................................................. 8
6.1
SPI OPERATIONS ......................................................................................................... 8
6.1.1
6.1.2
SPI Modes........................................................................................................................8
保持功能...................................................................................................................8
写保护Features......................................................................................................8
6.2
7.
写PROTECTION.................................................................................................... 8
6.2.1
控制和状态寄存器.............................................. ....................................... 9
7.1
状态寄存器...................................................................................................... 9
7.1.1
7.1.2
7.1.3
7.1.4
7.1.5
7.1.6
BUSY................................................................................................................................9
写使能锁存器( WEL ) ............................................ .................................................. ..9
块保护位( BP2 , BP1 , BP0 ) ........................................ ........................................ 10
保留位.................................................................................................................10
状态寄存器保护( SRP ) ............................................ ............................................ 10
状态寄存器内存保护.............................................. .................................. 11
制造商和设备标识.............................................. ............................. 12
指令集
(1)
.............................................................................................................12
写禁止(04h).........................................................................................................13
写使能(06h)..........................................................................................................13
读状态寄存器(05h ) ............................................ ................................................ 14
写状态寄存器( 01H ) ............................................ ................................................ 15
读数据( 03H ) .............................................................................................................16
快速阅读(值0Bh ) .............................................................................................................17
页编程( 02H ) .......................................................................................................18
扇区擦除(D8h).......................................................................................................19
7.2
INSTRUCTIONS........................................................................................................... 11
7.2.1
7.2.2
7.2.3
7.2.4
7.2.5
7.2.6
7.2.7
7.2.8
7.2.9
7.2.10
-2-
W25P10 , W25P20与W25P40
7.2.11
7.2.12
7.2.13
7.2.14
芯片擦除(C7h)..........................................................................................................20
掉电( B9H ) ........................................................................................................21
发布掉电/设备ID ( ABH ) ........................................ ............................... 22
阅读制造商/设备ID ( 90H ) .......................................... ................................. 24
8.
电气CHARACTERISTICS......................................................................................... 25
8.1
绝对最大额定值( 1 ) ............................................ ........................................ 25
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
8.8
8.9
8.10
操作Ranges......................................................................................................... 25
上电时序和写禁止阈值.......................................... .................... 26
直流电气特性(初步) ( 1 ) ......................................... ..................... 27
AC测量条件............................................... ......................................... 28
AC电气特性............................................... ......................................... 29
AC电气特性(续) .......................................... ................................. 30
串行输出时序..................................................................................................... 31
输入时序.................................................................................................................. 31
持有Timing................................................................................................................... 31
8引脚SOIC 150密耳(华邦封装代码SN ) ( NexFlash封装代码N) ....... 32
9.
10.
11.
包规范................................................ .................................................. .. 32
9.1
订购信息................................................ .................................................. .. 33
修订历史................................................................................................................ 34
-3-
出版日期: 2005年11月28日
M修订版
W25P10 , W25P20与W25P40
1.概述
该W25P10 ( 1M位) , W25P20 ( 2M比特)和W25P40 ( 4M位)串行闪存提供
对于有限的空间,引脚和电源系统的存储解决方案。他们是理想的代码下载
应用程序,以及存储语音,文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单操作
电源采用电流消耗低至4毫安主动和1μA的关断模式。所有器件都
提供节省空间的8引脚SOIC封装类型,如下图所示。联系华邦可用性
替代包。作为一个家庭的串行闪存产品的一部分,华邦还提供了一个
兼容的迁移路径, 8M / 16M / 32M比特密度。
该W25P10 /四十分之二十〇阵列是由每256字节512/1024/2048可编程页面。一
单字节或256个字节时,可以在使用页面编程指令一个时间被编程。
页被分成256页( 64K字节)的每一个2/4/8可擦除扇区,如图2 。
这两个扇区擦除和芯片(整片)擦除指令的支持。
串行外设接口( SPI )由四个引脚(串行时钟,片选,串行数据
和串行数据输出),支持高速串行数据传输速率为40MHz的。一抱脚,写
保护引脚和可编程写保护功能提供了进一步的控制灵活性。此外,该
设备可以查询生产厂家和设备ID 。特殊客户ID (用于复制身份验证)
和工厂编程可用,华邦联系以获取更多信息。
Winbond的W25P10 / 20 / 40顷与前NexFlash NX25P10 /四十〇分之二十〇串行完全兼容
闪存。
2.特点
1M / 2M / 4M位串行闪存产品
系列串行闪存的记忆
- W25P10 : 1M位/ 128K字节( 131,072 )
- W25P20 : 2M比特/ 256K字节( 262,144 )
- W25P40 : 4M比特/ 512K字节( 524,288 )
- 每个可编程页256个字节
- 迁移到8M / 16M / 32M位
4针SPI串行接口
- 时钟,片选,数据输入,数据输出
- 易于流行的微控制器
- 兼容SPI模式0和3
- 底部引导组织(标准)
- 可选锁定功能的SPI灵活性
低功耗,宽
温度范围
- 单2.7至3.6V电源供电
- 4毫安有功电流, 1μA关断(典型值)
- -40 °C至+ 85 ° C的工作范围
快速,灵活的串行数据访问
- 40MHz的快速读取, 33MHz的标准读
- 字节寻址读取和编程
- 自动递增阅读能力
- 制造商和设备ID
编程功能
- 页面程序最多256个字节<2ms
- 扇区擦除( 64K字节) 2秒
- 芯片擦除:3秒( 25P10 / 20 )
5秒( 25P40 )
100,000次擦除/写周期
- 20年的数据保留
软件和硬件写保护
- 写保护全部或部分内存
- 启用/禁用保护与/ WP引脚
节省空间的封装
- 微型8引脚SOIC 150mil
非常适用于有限的引脚,空间系统,
和权力
- 基于控制器的串行代码下载
- μC系统存储数据,文字或语音
- 电池供电的便携式产品
-4-
W25P10 , W25P20与W25P40
3.引脚配置
图1. W25P10 , W25P20与W25P40引脚分配, 8引脚SOIC 150万
4.引脚说明
PIN号
引脚名称
I / O
功能
1
2
3
4
5
6
7
8
/ CS
DO
/ WP
GND
DI
CLK
/ HOLD
VCC
I
O
I
I
I
I
片选输入
数据输出
写保护输入
数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源
4.1
封装类型
该标准封装为W25P10 / 20/ 40是一个8引脚塑料SOIC 150 - mil主体(华邦
封装代码SN ) ( NexFlash包代码N)。它也允许一个包迁移到更高
密度串行闪存器件。的引脚为包示于图1.包装的图表和
尺寸在此数据表的末尾说明。可选8触点MLP封装可
可用。请联系华邦进一步MLP封装的信息。
4.2
片选( / CS )
在SPI片选( / CS引脚启用和禁用设备的运行。当/ CS为高电平时,器件
取消和串行数据输出( DO )引脚处于高阻抗。取消选中时,器件
功耗会在待机状态下的水平,除非内部擦除,编程或状态寄存器周期
正在进行中。当/ CS被拉低该设备将被选中,功耗将增加
到活性水平与指示可以写入和从设备中读取的数据。上电后, / CS
必须从高转换到低前一个新的指令将被接受。在/ CS输入必须追踪
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出版日期: 2005年11月28日
M修订版
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