飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
特点
双设备
低阈值电压
快速开关
兼容逻辑电平
表面贴装型封装
PHN210
符号
d1 d1
d2 d2
快速参考数据
V
DS
= 30 V
I
D
= 3.4 A
R
DS （ ON）
≤
100毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
200毫欧（V
GS
= 4.5 V)
s1
g1
S2 G2
概述
双N沟道增强
在一个模式的场效应晶体管
塑料封套使用“地沟”
技术。
应用： -
电机和继电器驱动器
直流以直流转换器
逻辑电平转换器
该PHN210在所提供的
SOT96-1 （ SO8 ）表面贴装
封装。
钉扎
针
1
2
3
4
5,6
7,8
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水1
SOT96-1
8
7
6
5
PIN 1 INDEX
1
2
3
4
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
重复峰值漏极 - 源极
电压
连续漏极 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏极电流MOSFET每
1
漏极电流每个MOSFET （包括
MOSFET的导通）
1
漏极电流每个MOSFET （脉冲
峰值）
总功耗（一方或
两个MOSFET导通）
1
存储&工作温度
条件
T
j
= 25 °C至150°C
R
GS
= 20 k
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
T
a
= 25 C
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 65
马克斯。
30
30
30
±
20
3.4
2.8
2.4
1.9
14
2
1.3
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
C
1
表面安装在FR4板，T
≤
10秒
1999年2月
1
启1.000
