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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1153页 > PHN210
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
特点
双设备
低阈值电压
快速开关
兼容逻辑电平
表面贴装型封装
PHN210
符号
d1 d1
d2 d2
快速参考数据
V
DS
= 30 V
I
D
= 3.4 A
R
DS （ ON）
≤
100毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
200毫欧（V
GS
= 4.5 V)
s1
g1
S2 G2
概述
双N沟道增强
在一个模式的场效应晶体管
塑料封套使用“地沟”
技术。
应用： -
电机和继电器驱动器
直流以直流转换器
逻辑电平转换器
该PHN210在所提供的
SOT96-1 （ SO8 ）表面贴装
封装。
钉扎
针
1
2
3
4
5,6
7,8
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水1
SOT96-1
8
7
6
5
PIN 1 INDEX
1
2
3
4
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
重复峰值漏极 - 源极
电压
连续漏极 - 源极电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏极电流MOSFET每
1
漏极电流每个MOSFET （包括
MOSFET的导通）
1
漏极电流每个MOSFET （脉冲
峰值）
总功耗（一方或
两个MOSFET导通）
1
存储&工作温度
条件
T
j
= 25 °C至150°C
R
GS
= 20 k
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
T
a
= 25 C
T
a
= 25 C
T
a
= 70 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 65
马克斯。
30
30
30
±
20
3.4
2.8
2.4
1.9
14
2
1.3
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
C
1
表面安装在FR4板，T
≤
10秒
1999年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
热阻
符号参数
R
日J-一
R
日J-一
热阻结
到环境
热阻结
到环境
条件
表面安装， FR4板，T
≤
10秒
表面安装， FR4板
典型值。
-
150
PHN210
马克斯。
62.5
-
单位
K / W
K / W
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
I
AS
非重复性雪崩
能量（每MOSFET ）
非重复性雪崩
电流（每个MOSFET ）
条件
非钳位感性负载时，我
AS
= 3.4 A;
t
p
= 0.2毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
分钟。
-
-
马克斯。
13
3.4
单位
mJ
A
电气特性
T
j
= 25 ，每个MOSFET除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
g
fs
I
D（上）
I
DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 10
A;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 ;牛逼
j
= 150C
正向跨导
V
DS
= 20V;我
D
= 2.2 A
通态漏电流
V
GS
= 10 V; V
DS
= 1 V;
V
GS
= 4.5 V; V
DS
= 5 V
零栅压漏
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V;
当前
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150C
门源漏电流V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 2.3 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 10 V
分钟。
30
27
1
0.4
-
-
-
-
2
3.5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
2
-
80
120
-
4.5
-
-
10
0.6
10
6
0.7
0.7
6
8
21
15
2.5
5
250
88
54
-
-
2.8
-
3.2
100
200
170
-
-
-
100
10
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
S
A
A
nA
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 20V;
D
= 18
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
阻性负载
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1 MHz的
1999年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ，每个MOSFET除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源二极管
电流（每个MOSFET ）
脉冲源二极管电流
（每个MOSFET ）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
a
= 25 C
分钟。
-
-
I
F
= 1.25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 1.25 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
PHN210
典型值。马克斯。单位
-
-
0.82
69
55
2.2
14
1.2
-
-
A
A
V
ns
nC
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
100
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
PHN210
10
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
100美
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
0.1
10 s
0.01
0
20
40
60
80
100
TAMB / C
120
140
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
a
)
如图3所示。安全工作区。牛逼
a
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
100
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
D = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
1
0.02
P
D
0.1
单脉冲
T
0.01
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
tp
D = TP / T
PHN210
0
20
40
60
80
100
环境温度，环境温度Tamb （ C）
120
140
脉冲宽度TP （多个）
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
a
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J-一
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1999年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
PHN210
6
漏极电流ID （ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.8
2
VGS = 20 V
TJ = 25℃
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
2
1
0
10 V
5V
5
跨导， GFS （ S）
TJ = 25℃
4
150 C
3
0
1
2
3
4
5
6
7
漏极电流ID （ A）
8
9
10
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;参数T
j
a
0.5
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
3.2 V
3.4 V
3.6 V 3.8V
4V
4.2 V
TJ = 25℃
2
SOT223 30V海沟
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
0.4
1.5
0.3
1
0.2
VGS = 5V
10V
20V
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
0.1
0.5
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
VGS （ TO ） / V
4
漏极电流ID （ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
TJ = 25℃
150 C
VDS > ID X RDS （ ON）
3
马克斯。
典型值。
2
1
分钟。
0
-60 -40 -20
0
20
40 60
TJ / C
80 100 120 140
栅 - 源电压，V GS （V）的
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1999年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
PHN210
1E-01
亚阈值传导
10
9
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
VGS = 0 V
1E-02
民
典型值
最大
8
7
6
5
4
TJ = 25℃
3
2
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
1E-03
150 C
1E-04
1E-05
1E-06
0
1
2
3
4
5
漏源电压， VSDS （V ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
非重复性雪崩电流， IAS （ A）
10
PHN210
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
25 C
西塞
1
100
科斯
CRSS
VDS
tp
ID
TJ前雪崩= 125℃
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
0.1
1E-06
1E-05
1E-04
雪崩的时候， TP （S ）
1E-03
1E-02
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图15 。最大允许非重复
雪崩电流（I
AS
）与雪崩时间（t
p
);
非钳位感性负载
栅 - 源电压，V GS （V）的
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
ID = 2.3A
TJ = 25℃
VDD = 15 V
1
2
3
4
5
6
7
栅极电荷QG （ NC）
8
9
10
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
1999年2月
5
启1.000
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推荐型号
PT151S8
PS151R
PA21-100N
PCA9541ABS/01
P80C552EBB
P54FCT481TLM
PHE426MJ4470JR05
PCN10-020P-2.54DSA
PSD933F5-70MIT
P54FCT245ATDB
P10LU-0512Z
PD40F40
PIC16CE623-20/SS
PSMDA24C-8-LF-T13
PZC36DZCN-M
PGB1010603
PM747CY
PTFA043002E
PU110-32A
PDB37U106M2C
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PHN210
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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联系人：李先生【原装正品,可开发票】
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PHN210
NXP
24+
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原装正品现货，可开增值税专用发票
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电话：0755-83242658
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
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