飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 500 V
g
I
D
= 10.4 A
R
DS （ ON）
≤
0.6
s
概述
的N-沟道增强型场效应功率晶体管，用于在离线使用开关式电源，
T.V.和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路和通用切换
应用程序。
该PHP11N50E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHW11N50E是在SOT429 （ TO247 ）传统的含铅封装。
该PHB11N50E是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
门
漏
1
来源
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT429 （ TO247 ）
2
漏
1 23
1
3
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
500
500
±
30
10.4
6.6
42
156
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1998年1月
1
启1.000
