飞利浦半导体
PMGD290XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
热特性
条件
民
-
典型值
-
最大
300
单位
K / W
从结热阻到焊点
图4
符号参数
5.1瞬态热阻抗
103
第Z （J -SP ）
（K / W）
δ
= 0.5
102
0.2
0.1
0.05
0.02
10
单脉冲
P
03an28
δ
=
tp
T
tp
T
1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
TP （多个）
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 12762
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产品数据
版本01 - 2004年2月26日
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