飞利浦半导体
PMGD290XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP （ ° C）
200
0
0
50
100
150
200
TSP （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
10
ID
(A)
03an14
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
1
100
s
1毫秒
10-1
DC
10毫秒
100毫秒
10-2
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 4.5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12762
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产品数据
版本01 - 2004年2月26日
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