飞利浦半导体
PMGD290XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
2.5
ID
(A)
2
03am96
4.5 V
3.5 V
3V
2.5
ID
(A)
2
VDS >内径×导通电阻
25
°C
03am98
TJ = 150
°C
1.5
2.5 V
1
1.5
1
0.5
2V
VGS = 1.8 V
0.5
0
0
0.5
1
1.5
VDS （ V）
2
0
0
1
2
3
4
VGS （ V）
5
T
j
= 25
°C
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
个R
DSON
图5.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
图6.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
1
RDSON
()
0.8
VGS = 2.5 V
03am97
3V
a
2
03af18
1.5
0.6
1
0.4
3.5 V
4.5 V
0.5
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
ID （ A）
2.5
0
-60
0
60
120
TJ （ ° C）
180
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
----------------------------
-
R
DSON
(
25
°
C
)
图8.归漏源导通电阻
因子作为结温的函数。
图7.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
9397 750 12762
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产品数据
版本01 - 2004年2月26日
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