飞利浦半导体
PMGD290XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
8.焊接
2.65
0.60
(2×)
2.35
0.40 0.90 2.10
(2×)
0.50
(4×)
锡膏
焊区
阻焊
占领区
0.50
(4×)
1.20
2.40
MSA432
尺寸（mm） 。
图15.重新溢流焊接足迹SOT363 （ SC - 88 ） 。
9.修订历史记录
表6：
版本日期
01
20040226
修订历史
CPCN
-
描述
产品数据（ 9397 750 12762 ） 。
9397 750 12762
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年2月26日
10 12
