飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率25 V晶体管
PSS8050
手册， halfpage
400
MLD952
手册， halfpage
1200
MLD953
的hFE
(1)
VBE
（毫伏）
1000
(1)
300
800
200
(2)
(2)
600
(3)
100
400
(3)
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
200
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PSS8050D
V
CE
= 1 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PSS8050D
V
CE
= 1 V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.8
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.9
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(1)
(2)
(3)
MLD954
手册， halfpage
1400
MLD956
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
(2)
(3)
10
600
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
200
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
PSS8050D
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
PSS8050D
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
图10集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
图11基极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
2004年08月10日
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