飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率25 V晶体管
特点
高总功耗
高电流能力。
应用
中等功率开关和静音
放大器阳离子
便携式收音机输出放大器（ B类，推挽） 。
描述
NPN晶体管在SOT54 （ TO- 92 ）塑料封装。
PNP补充： PSS8550 。
手册， halfpage
PSS8050
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
马克斯。
25
1.5
单位
V
A
1
记号
类型编号
PSS8050C
PSS8050D
标识代码
2
3
MSB033
S8050C
S8050D
Fig.1简化外形（ SOT54 ） 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
T
AMB
≤
25
°C;
注3
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。脉冲下运行
条件：脉冲宽度t
p
≤
1秒;占空比
δ ≤
0.75%.
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
25
6
1.5
2
300
1
850
900
1
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
W
°C
°C
°C
单位
2004年08月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率25 V晶体管
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
在自由空气中;注意2
在自由空气中;注3
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
PSS8050
价值
147
139
125
单位
K / W
K / W
K / W
2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。
脉冲条件下工作：脉冲宽度t
p
≤
1秒;占空比
δ ≤
0.75%.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
PSS8050C
PSS8050D
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 800毫安;我
B
= 80毫安
I
C
= 800毫安;我
B
= 80毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 35 V ;我
E
= 0
V
CB
= 35 V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
V
CE
= 25 V ;我
B
= 0
V
EB
= 6 V ;我
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 800毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
120
160
100
165
200
300
500
1.2
1
10
mV
V
V
兆赫
pF
分钟。
45
40
典型值。
马克斯。
100
50
100
100
单位
nA
A
nA
nA
2004年08月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率25 V晶体管
特点
高总功耗
高电流能力。
应用
中等功率开关和静音
放大器阳离子
便携式收音机输出放大器（ B类，推挽） 。
描述
NPN晶体管在SOT54 （ TO- 92 ）塑料封装。
PNP补充： PSS8550 。
手册， halfpage
PSS8050
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
马克斯。
25
1.5
单位
V
A
1
记号
类型编号
PSS8050C
PSS8050D
标识代码
2
3
MSB033
S8050C
S8050D
Fig.1简化外形（ SOT54 ） 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
T
AMB
≤
25
°C;
注3
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。脉冲下运行
条件：脉冲宽度t
p
≤
1秒;占空比
δ ≤
0.75%.
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
25
6
1.5
2
300
1
850
900
1
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
W
°C
°C
°C
单位
2004年08月10日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率25 V晶体管
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
在自由空气中;注意2
在自由空气中;注3
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
PSS8050
价值
147
139
125
单位
K / W
K / W
K / W
2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。
脉冲条件下工作：脉冲宽度t
p
≤
1秒;占空比
δ ≤
0.75%.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
PSS8050C
PSS8050D
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 800毫安;我
B
= 80毫安
I
C
= 800毫安;我
B
= 80毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 35 V ;我
E
= 0
V
CB
= 35 V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
V
CE
= 25 V ;我
B
= 0
V
EB
= 6 V ;我
C
= 0
I
C
= 5毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 800毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
120
160
100
165
200
300
500
1.2
1
10
mV
V
V
兆赫
pF
分钟。
45
40
典型值。
马克斯。
100
50
100
100
单位
nA
A
nA
nA
2004年08月10日
3
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