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ISL9K30120G3
典型性能曲线（每站）
（续）
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0
热阻抗
Z
θJA
归一化
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JA
个R
θ
JA
+ T
A
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
0.01
10
-5
10
-4
图12.归最大瞬态热阻抗
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
I
F
DUT
R
G
当前
SENSE
+
MOSFET
V
DD
0
0.25 I
RM
I
RM
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
V
GE
t
1
t
2
-
图13吨
rr
测试电路
图14吨
rr
波形和定义
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图15.雪崩能量测试电路
图16.雪崩电流和电压
波形
2002仙童半导体公司
ISL9K30120G3版本A
