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ISL9K30120G3
典型性能曲线（每站）
（续）
S，反向恢复软化系数
9
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
8
I
F
= 60A
7
Q
RR
，反向恢复电荷（ μC ）
6.0
V
R
= 780V ，T
C
= 125
o
C
5.6
I
F
= 60A
5.0
4.5
4.0
I
F
= 30A
3.5
3.0
2.5
2.0
200
I
F
= 15A
6
I
F
= 30A
5
I
F
= 15A
4
3
200
400
600
800
1000
1200
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
400
600
800
1000
1200
dI
F
/ DT ，电流变化率（ A / μs）内
图7.反向恢复软度因子VS
dI
F
/ DT
1600
C
J
，结电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.03
F = 1MH
Z
图8.反向恢复电荷VS的dI
F
/ DT
I
RM （ REC ）
，最大反向恢复电流（ A）
-14
I
F
= 30A ，V
R
= 780V ，二
F
/ DT = 500A / μs的
I
RM （ REC ）
-16
400
350
-18
300
-20
t
RR
-22
25
250
0.1
1
10
100
50
75
100
125
200
150
V
R
，反向电压（V）的
T
C
，外壳温度（
o
C)
图9.结电容VS反向电压
图10.最大反向恢复电流
和T
rr
VS外壳温度
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图11 。
直流电流降额曲线
2002仙童半导体公司
ISL9K30120G3版本A
T，恢复时间（纳秒）
