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CY7C199C
32K x 8静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒， 20纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP I.
2.0V数据保留
CMOS低待机功耗
取消时自动断电
概述
1
该CY7C199C是一个高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
见真情表中将该数据资料的完整
读写模式的描述。
该CY7C199C提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP
我包（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
A
X
X
产品组合
12纳秒
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
（低功耗）
12
85
500
15纳秒
15
80
500
20纳秒
20
75
500
25纳秒
25
75
500
单位
ns
mA
uA
注意事项：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05408修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年9月11日
