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CY7C199C
20纳秒
参数
I
CC
I
SB1
描述
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前TTL输入
自动CE
掉电
当前的CMOS
输入
输出漏
当前
输入负载电流
条件
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
动力
–
–
L
–
L
–
–
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
25纳秒
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
单位
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
I
SB2
I
OZ
I
IX
电容
4
最大
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
ALL - 套餐
8
8
单位
pF
AC测试负载
输出负载
R1
V
CC
V
CC
产量
C1
R2
输出负载
对于T
HZOE
, t
HZCE
＆放大器;牛逼
HZWE
R3
C2
R4
(A)*
(B)*
戴维南等效
所有的输入脉冲
V
CC
90%
90%
产量
R
th
V
T
V
SS
10%
10%
上升时间
1 V / ns的
下降时间
1 V / ns的
*包括范围和夹具电容
注意事项：
4.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 38-05408修订版**
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