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MB84VD2208XEA
-90
/MB84VD2209XEA
-90
表1. 2用户总线操作（闪烁=字模式; CIOf = V
CC
楼SRAM =字节模式; CIO们= V
SS
)
手术
（注3 ）
全备
瑞银
LBS
CEF CE1S CE2s OE WE SA （注6 ） （注6 ） DQ
0
to
DQ
7
H
H
X
L
H
X
H
X
H
X
L
L
X
H
X
X
X
L
H
X
L
X
L
X
L
H
H
X
X
L
X
X
H
X
H
X
H
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
DQ
8
重置
DQ
15
H
WP /
加
(Note5)
X
高-Z高阻
高-Z高阻
高-Z高阻
高-Z高阻
H
输出禁用
L
从Flash中读取
(Note2)
写FLASH
从SRAM读
写入SRAM
临时机构
组
解除保护
(Note4)
闪存硬件
RESET
引导扇区座
写保护
H
X
L
L
H
X
X
X
D
OUT
D
OUT
H
X
L
H
H
X
H
L
X
X
L
H
L
X
X
SA
SA
X
X
X
X
X
X
X
X
X
D
IN
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高-Z
高-Z
X
H
H
H
V
ID
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
高-Z高阻
X
X
L
X
X
L
注： L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
。见"sELECTRICAL特性1.DC Characteristics"
为电压电平。
注意事项：
除了表示此列1.其他操作都被禁止。
2.我们可以为V
IL
如果OE为V
IL
， OE在V
IH
启动写操作。
3.不要使用CEF = V
IL
， CE1S = V
IL
和CE2s = V
IH
的时间。
4.它也可用于工作在扩展扇区团保护。
5. WP / ACC = V
IL
;保护引导扇区。
WP / ACC = V
IH
;清除引导扇区保护。
WP / ACC = V
加
（ 9V ） ;节目时间会减少40％ 。
6. SA ;不关心或打开。
8
