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富士通半导体
数据表
DS05-50205-1E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
32M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
2M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
MB84VD2208XEA
-90
/MB84VD2209XEA
-90
s
特点
2.7至3.3V 电源电压
高性能
90 ns的最大访问时间（闪存）
85 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
-25至+ 85°C
包73球FBGA
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F，V
CC
S = 3.0 V
+0.3 V
–0.3 V
SRAM
MB84VD2208XEA-90/MB84VD2209XEA-90
90
90
40
85
85
45
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
包
73球FBGA封装胶
（ BGA - 73P - M01 ）
