ST92F120 - 电气特性
FLASH / EEPROM技术规格
(V
DD
= 5V
±
10%, T
A
=
–
40℃至+ 105℃ ，除非另有说明）（1）
参数
字节编程
128 KB闪存程序
64 KB闪存，扇区擦除
128 KB闪存芯片擦除
擦除挂起延时
16字节页更新
（ 1K EEPROM ）
16字节页更新
（ 0.5K EEPROM ）
EEPROM芯片擦除
闪存耐久性25℃
闪存耐久性-40°C + 105°C
EEPROM耐力
数据保留
民
典型值
10
1.3
1.5
3
最大
1200
30
15
0.16
0.16
30
15
70
10000
3000
100000
(2)
15
100
50
单位
s
s
s
s
s
ms
ms
ms
周期
周期/部门
岁月
主Flash
1
EEPROM
可靠性
注意：
（1）全范围的特性将后最终产物的表征提供。
（ 2 ） EEPROM行业循环和单字节循环关系的计算是在一个专门的意法半导体提供的应用程序
阳离子说明（参见AN1102 / 98 ） 。
FLASH / EEPROM DC &交流特性
(V
DD
= 5V
±
10%, T
A
=
–
40℃至+ 105℃，除非另有规定）
符号
V
CWL
V
CRL
IDD1
IDD2
IDD3
IDD4
tPD的
参数
写锁电源电压
(1)
读锁电源电压
(2)
电源电流（读出）
电源电流（写）
电源电流（待机）
电源电流（省电）
恢复从掉电
V
DD
= 5.5 V ，T
A
= –40°C,
f
INTCLK
= 24 MHz的
V
DD
= 5.5 V ，T
A
= –40°C,
f
INTCLK
= 24 MHz的
V
DD
= 5.5 V ，T
A
= –40°C
V
DD
= 5.5 V ，T
A
= 105°C
V
DD
= 4.5 V ，T
A
= 105°C
测试条件
民
3
1.5
最大
4
2.5
60
60
100
10
10
单位
V
V
mA
mA
A
A
s
注意：
（ 1 ）以下的最小值的FLASH / EEPROM不能写入;最大值以上的FLASH / EEPROM可以随时写入。
（2）下面的分钟值的闪存/ EEPROM中不能被读出;最大值FLASH以上/ EEPRO M可随时阅读。
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