位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1693页 > ST92F120R9T > ST92F120R9T PDF资料 > ST92F120R9T PDF资料1第294页
ST92F120 - 电气特性
符号
参数
输出高电平
P0[7:0]-P6[5:4]
AS- DS- RW
评论
推拉式，我
OH
= - 2毫安
EMR1注册 - BSZ位= 0
(3)
推拉式，我
OH
= - 8毫安
EMR1注册 - BSZ位= 1
(3)
推拉式，我
OH
= - 2毫安
EMR1注册 - BSZ位= 0
(3)
推拉式，我
OH
= - 4毫安
EMR1注册 - BSZ位= 1
(3)
推拉式/漏极开路，我
OL
=2mA
EMR1注册 - BSZ位= 0
(3)
推拉式/漏极开路，我
OL
=8mA,
EMR1注册 - BSZ位= 1
(3)
推拉式/漏极开路，我
OL
=2mA,
EMR1注册 - BSZ位= 0
(3)
推拉式/漏极开路，我
OL
=4mA,
EMR1注册 - BSZ位= 1
(3)
双向弱上拉
V
OL
= 0V
双向弱上拉
V
OL
= 0V
输入/三州，
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
输入/三州，
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
DD
(4)
(5)
(5)
价值
民
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
0.4
0.4
0.4
0.4
典型值
(1)
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
OH
输出高电平
P1[7:0]-P2[7:4]-P2[1:0]
P3[7:1]-P4[5:0]-P5[7:0]
P6[3:0]-P7[7:0]-P8[7:0]
P9 [7：0 ] -VPWO
输出低电平
P0[7:0]-P2[3:2]-P4[7:6]
P6 [5：4 ] -AS -DS- RW
V
OL
输出低电平
P1[7:0]-P2[7:4]-P2[1:0]
P3[7:1]-P4[5:0]-P5[7:0]
P6[3:0]-P7[7:0]-P8[7:0]
P9 [7：0 ] -VPWO
弱上拉电流
P2[7:4]-P2[1:0]-P3[7:1]
P4.5-P4[3:1]-P5.3-P6[3:0]
P7[7:0] P8[7:0]-P9[7:0]
弱上拉电流
P6 [5：4 ] -AS -DS
30
100
400
A
R
WPU
100
–1
–1
–1
200
450
+1
+1
+1
5
70
70
A
A
A
A
mA
毫安/ NS
毫安/ NS
I
LKIO
I
LKIOD
I
LKA / D
I
OV
SR
R
SR
F
I / O引脚输入漏
I / O引脚漏极开路输入
泄漏
A / D转换。输入漏
过载电流
压摆率上升
压摆率秋天
注意：
（1）除另有说明外，典型的数据是基于T
A
= 25° C和V
DD
= 5V 。他们只报道了在没有测试的设计指导线
生产。开关电平之间的滞后电压：表征结果 - 没有测试。
（ 2 ）转换电平之间的滞后电压：表征结果 - 没有测试。
（ 3 ）有关EMR1寄存器的描述 - BSZ位指的是外部存储器接口章。
（ 4 ）未经过100％测试，设计特性保证。输入过载电流的所有端口引脚上的绝对金额不得超过
百毫安。
（ 5 ）指示值提取设计仿真。
294/320
1
