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M48Z02 ， M48Z12
图3.框图
A0-A10
锂
CELL
电压检测
和
开关
电路
动力
2K ×8
SRAM阵列
DQ0-DQ7
VPFD
E
W
G
VCC
VSS
AI01255
读取模式
该M48Z02 / 12是在读取模式时W
（写使能）为高和E（芯片使能）是低的。
该器件的架构允许纹波通过AC-
从8 16384中的位置过程数据的
静态存储阵列。因此，唯一的地址
由11地址输入指定定义了
的2048个字节的数据中的一个将被访问。
有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个
地址输入信号是稳定的，所提供的电子
和G存取时间也满意。如果E和
g接入时间得不到满足，有效的数据将
的芯片使能访问后后可用
时间（t
ELQV
）或输出启用访问时间（t
GLQV
).
八三态数据I / O信号的状态
由E和G.控制。如果输出被激活
吨前
AVQV
中，数据线将被驱动至
不确定的状态，直到吨
AVQV
。如果该地址在 -
看跌期权被改变，而E和G保持活跃，
输出数据的有效期为输出数据保持
时间（t
AXQX
），但走不定，直到下一
地址访问。
表4. AC测量条件
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
5ns
0V至3V
1.5V
注意，输出高阻被定义为点数据是无
再驱动。
图4.交流测试负载电路
5V
1.8k
设备
下
TEST
1k
OUT
CL = 100pF的
CL INCLUDES夹具电容
AI01019
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