M48Z02
M48Z12
16千位（ 2K位×8 ） ZEROPOWER
SRAM
集成超低功耗SRAM ，
电源失效控制电路和
电池
没有写次数限制
读周期时间等于写周期
时间
自动电源失效芯片DESELECT和
写保护
写保护电压不
(V
PFD
=电源故障取消电压） ：
- M48Z02 ： 4.50V
≤
V
PFD
≤
4.75V
- M48Z12 ： 4.20V
≤
V
PFD
≤
4.50V
在CAPHAT独立电池
DIP封装
引脚和功能兼容
JEDEC标准的2K ×8的SRAM
描述
该M48Z02 / 12 ZEROPOWER
RAM是2K ×8
非易失性静态RAM是引脚和功能
与DS1220兼容。
一个特殊的24引脚600mil DIP CAPHAT 封装
房屋的M48Z02 / 12芯片与长寿命lith-
鎓纽扣电池以形成一个高度集成的电池
备份存储解决方案。
该M48Z02 / 12扣式电池有足够的能力
和贮存寿命，保持数据和时钟功能 -
先进而精湛为至少10的累积时间段
年在断电的情况下，在工作
温度范围。
表1.信号名称
A0-A10
DQ0-DQ7
E
G
W
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源电压
地
24
1
PCDIP24 （PC）的
电池CAPHAT
图1.逻辑图
VCC
11
A0-A10
8
DQ0-DQ7
W
E
G
M48Z02
M48Z12
VSS
AI01186
1999年5月
1/12
