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E
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
（ TTL）的
输出高电压
（ CMOS）的
笔记
7
7
3,7
3,7
3,7
字节宽的SMART 5 FlashFile Memory系列
商业温度直流特性
4,8 ，和16 Mbit的智能5 FlashFile 记忆
（续）
5.0V V
CC
民
–0.5
2.0
最大
0.8
V
CC
+ 0.5
0.45
2.4
0.85
V
CC
V
CC
–0.4
V
PPLK
V
PP
锁定电压
V
PPH1
V
PP
电压
V
PPH2
V
PP
电压
V
LKO
V
HH
注意事项：
1.所有电流都在RMS中，除非另有说明。在标称V典型值
CC
电压和T
A
= + 25°C 。这些电流
适用于所有版本的产品（包装和速度） 。
2. I
CCWS
我
CCES
与所述设备被指定取消选择。如果读取或写入，而在擦除暂停模式下，器件的
电流为I的总和
CCWS
还是我
CCES
我
CCR
还是我
CCW
.
3.包括RY / BY ＃ 。
4块擦除，程序和锁定位配置有抑制作用，当V
PP
≤
V
PPLK
和不在范围保证
V之间
PPLK
（最大值）和V
PPH1
（分钟），V之间
PPH1
（最大值）和V
PPH2
（ min），而高于V
PPH2
（最大值）。
5.自动省电（ APS ）减少了典型I
CCR
在静态运行1毫安。
6. CMOS输入或者是V
CC
± 0.2V或GND ± 0.2V 。 TTL输入，要么是V
IL
或V
IH
.
7.采样，未经100％测试。
8.主锁定位设置操作被禁止，当RP ＃ = V
IH
。块锁定位配置操作被禁止时，
主锁定位被置位和RP ＃ = V
IH
。块擦除，并在相应的块锁位设置程序被禁止
和RP ＃ = V
IH
。块擦除，编程和锁定位的配置操作都不能保证，应该不会
尝试与V
IH
＆ LT ; RP ＃ ＆ LT ; V
HH
.
9. RP ＃连接到V
HH
供给被允许为80小时的最长的累积时间。
TEST
单位
V
V
V
V
V
V
V
CC
= V
CC
民
I
OL
= 5.8毫安
V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CC
民
I
OH
= –100 A
条件
4,7
4.5
11.4
2.0
8,9
11.4
1.5
5.5
12.6
V
V
V
V
V
CC
锁定电压
RP ＃解锁电压
12.6
V
设置主锁定位
覆盖锁定位
产品预览
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