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E
符号
A
0
–A
20
TYPE
输入
DQ
0
-DQ
7
CE＃
输入
RP ＃
输入
字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列
表1.引脚说明
名称和功能
地址输入：
在读写操作输入的地址。
地址在写周期期间被内部锁存。
4兆位
→
A
0
–A
18
8兆位
→
A
0
–A
19
16兆位
→
A
0
–A
20
输入/
数据输入/输出：
输入过程中崔写周期的数据和命令;
存储器阵列，状态寄存器和识别码时输出输出数据读周期。
数据引脚浮到高阻抗，当芯片被取消或输出
禁用。数据在写周期期间内部锁存。
CHIP ENABLE ：
激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器，和
感测放大器。 CE＃ - 高释放器件降低功耗
待机水平。
RESET /深度掉电：
当驱动为低电平， RP ＃禁止写操作
这期间，电源转换提供数据保护，使器件在深
掉电模式和复位内部自动化。 RP ＃ - 高使正常
操作。从深度掉电退出设置设备来读取阵列模式。
RP ＃在V
HH
使主锁位的设置，使模块的配置
锁住位，当主锁位被置位。 RP ＃ = V
HH
覆盖块锁位，
从而使块擦除和编程操作，以锁定的内存块。
块擦除，编程或锁定位配置与V
IH
＆ LT ; RP ＃ ＆ LT ; V
HH
生产
虚假的结果，不应该尝试。
OE ＃
WE＃
RY / BY ＃
输入
输入
OUTPUT ENABLE ：
在一个读周期中栅极的器件的输出。
写使能：
控制写入崔和阵列模块。地址和数据
被锁在WE＃脉冲的上升沿。
产量
READY / BUSY ＃ ：
表示内部WSM的状态。当低，是WSM
执行内部操作（块擦除，编程，或锁位） 。 RY / BY ＃ - 高
表明WSM等待新的命令，块擦除或程序
暂停或设备处于深度掉电模式。 RY / BY ＃始终处于活动状态。
供应
块擦除，编程，锁定位配置电源：
用于擦除阵列块，编程数据，或配置锁定位。
智能闪光3
→
2.7 V ， 3.3 V和12 V V
PP
随着V
PP
≤
V
PPLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除，编程，和
使用无效V锁位配置
PP
（见
DC特性
）产生杂散
结果，不应该尝试。
V
PP
V
CC
供应
器件电源：
内部检测自动配置设备
优化读取性能。不浮动任何电源引脚。
智能闪光3
→
2.7 V和3.3 V V
CC
随着V
CC
≤
V
LKO
所有试图写入到闪存被禁止。设备
在无效的V操作
CC
电压（见
DC特性
）产生杂散
结果，不应该尝试。块擦除，编程和锁定位
与V配置操作
CC
＆ LT ;不支持2.7 V 。
GND
NC
供应
地面：
不要任何浮动接地引脚。
无连接：
铅是没有内部连接;它可被驱动或浮置。
初步
7
