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E
1.0
1.1
字节宽的SMART 3 FlashFile Memory系列
介绍
1.2
产品概述
该数据表包含4,8和16兆位的智能3
FlashFile内存规格。第1.0节
提供了一种闪速存储器概述。部分2.0 ，
3.0 ，4.0和5.0描述的存储器组织
和功能。 6.0节涵盖了电气
规范商业和扩展
温度产品系列。订购信息
在第7.0节中提供。最后，该字节宽
智能3 FlashFile内存系列文档
还包括应用笔记和设计工具
这是在第8.0节中引用。
该字节宽智能3 FlashFile内存系列
提供密度升级与兼容的引脚
对于4,8和16兆位密度。该28F004S3 ，
28F008S3和28F016S3是高性能
回忆排列为512字节， 1M字节，并
2兆字节的8比特。这个数据被分组在八个
16和32的64字节块，是
单独擦除，可锁定和解锁IN-
系统。图5示出的存储器
组织。
SmartVoltage技术，实现了快速厂
编程和低功耗设计。特别是
专为3 V系统，智能3 FlashFile
组件支持读取操作，在2.7 V和
3.3 V V
CC
和块擦除和编程操作
在2.7 V ， 3.3 V和12 V V
PP
。 12 V V
PP
选项
渲染速度最快的方案执行这将
提高工厂产能。与2.7 V或
3.3 V V
PP
选项，V
CC
和V
PP
可以连在一起
一个简单的，低功耗的2.7 V或3 V的设计。在
除电压灵活性，专用V
PP
销给了完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
内部V
PP
检测电路自动
配置该设备优化的块擦除和
编程操作。
A命令的用户界面（ CUI）作为
系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。一个有效的命令
顺序写入崔启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）
自动执行的算法和时序
必需的块擦除，编程，和锁定位
配置操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
通常在1.1秒64千字节块
(12 V V
PP
） ，独立于其他块。每块
可独立擦除100,000次
（每台设备160万的块擦除） 。块擦除
暂停操作允许系统软件
暂停块擦除读取或程序数据
数据的任何其他块。
数据被编程以字节为单位通常
在7.6
s
(12 V V
PP
） 。程序暂停
操作允许系统软件来读取数据或
从任何其他闪存阵列执行代码
位置。
新功能
该字节宽智能3 FlashFile内存系列
保持与英特尔的向后兼容性
28F008SA -L中。主要增强功能包括：
SmartVoltage技术
增强的挂起功能
在系统块锁定
它们共享一个兼容的状态寄存器，软件
命令和引脚排列。这些相似之处让
一个干净的升级从28F008SA -L ，以字节宽
智能3 FlashFile产品。在升级时，它是
重要的是要注意以下几点不同之处：
因为新的功能和密度选项，
设备具有不同的设备标识符
码。这使得软件的优化。
V
PPLK
已降至6.5 V至1.5 V至
支持低V
PP
在块擦除电压，
程序，锁位的配置操作。
该开关V的设计
PP
关在读
操作应该转换为V
PP
到GND 。
要SmartVoltage优势技
术，让V
PP
连接至3.3 V.
欲了解更多详细信息，请参考应用笔记
AP-625,
与28F008SA 28F008SC兼容性
（订单
编号292180 ）
.
初步
5
