HB54A2568KN-A75B/B75B/10B
引脚功能（ 1 ）
CK （ CLK ） ， / CK （ / CLK ） （输入引脚） ：
在CK和/ CK是主时钟输入。除了DMS， DQSS所有输入
和的DQ被称为在CK的上升沿和VREF电平的交叉点。当进行读操作， DQSS
和的DQ都提到了CK和/ CK的交叉点。当一个写操作中，模式草案和的DQ被称为
于DQS的交叉点和VREF电平。 DQSS对于写操作被称为对照的交叉点
和/ CK 。
/ S （ / CS ） （输入引脚） ：
当/ S为低，命令和数据可被输入。当/ S为高电平时，所有的输入将被忽略。
然而，内部操作（存储体激活，突发操作等）被保持。
/ RAS ， / CAS ，和/ WE （输入引脚） ：
操作命令（读，写等）依赖于这些引脚定义
其电压等级的组合。见"Command operation" 。
A0至A12 （输入引脚） ：
行地址（ AX0到AX12 ）由A0处的交叉点确定为位于A12级
在CK的上升沿和银行主动指令周期的VREF水平。列地址（ AY0到AY8 ）经由装
将A0至A8的在CK的上升沿的交叉点和在读或写命令周期VREF的电平。
此列地址成为一个脉冲串操作的起始地址。
A10 （ AP） （输入引脚） ：
A10限定在预充电模式时的预充电命令，读命令或写
命令被发出。如果A10 =高发出预充电命令时，所有银行都预充电。如果A10 =低
发出预充电命令时，只有被选中BA1 ，银行， BA0预充电。如果A10 =高
读或写命令时，自动预充电功能。而A10 =低，自动预充电功能
禁用。
BA0 ， BA1 （输入引脚） ：
BA0 / BA1是银行选择信号。所述存储器阵列被划分为存储体0 ，存储体1 ，银行2
和银行3.如果BA1 =低和BA0 =低，银行选择0 。如果BA1 =高和BA0 =低，银行1被选中。如果
BA1 =低和BA0 =高，银行2中选择。如果BA1 =高和BA0 =高，银行3被选中。
CKE （输入引脚） ：
CKE控制关机和自刷新。掉电和自刷新命令是
进入当CKE被拉低，退出它恢复到高的时候。
该级别CKE必须保持1 CK周期（ = LCKEPW ）至少，也就是说，如果CKE改变在CK的交叉点
上升沿和适当的准备时间TIS的VREF水平，在接下来的CK上升沿CKE水平必须跟上
适当的保持时间TIH 。
引脚功能（ 2 ）
DQ （输入和输出引脚） ：
数据被输入到与输出从这些引脚。
DQS （输入和输出引脚） ：
DQS提供所读取的数据选通信号（作为输出）和写数据选通信号（作为输入的） 。
DM （输入引脚） ：
DM是数据输入掩码函数的参考信号。的DM进行采样的交叉点
DQS和VREF
VCC和VCCQ （电源引脚） ：
2.5V被施加。 （Vcc是内部电路和VCCQ是输出
缓冲区。 ）
VCCSPD （电源引脚） ：
2.5V应用（对于串行EEPROM ） 。
VSS （电源引脚） ：
接地连接。
具体操作部分，交流特性和时序波形
请参阅HM5425161B / HM5425801B / HM5425401B系列数据表（ E0086H ） 。
初步数据表E0148H20 （版本2.0 ）
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