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150毫安微功耗高性能LDO
应用信息
以保证最大可能的性能是
从AAT3218获得，请参考跟着
降脂应用建议。
AAT3218
旁路电容和低噪声
应用
旁路电容引脚提供增强
在AAT3218 LDO稳压的低噪音特点
荡器。旁路电容是没有必要的
在AAT3218的操作。然而，对于最佳的器件
高性能，小型陶瓷电容应
放置之间的旁路端子（ BYP ）和设备
接地端子（GND ） 。 C的值
BYP
可能的范围
从470pF的至10nF 。对于最低噪声和最佳POS-
sible电源纹波抑制性能
10nF电容应该被使用。为了切实实现
最高的电源纹波抑制和最低
输出噪声性能，这是很关键的capac-
在BYP引脚和GND引脚之间itor连接是
直接和PCB走线应尽可能短， possi-
BLE 。请参考PCB布局建议
本文中的示例部分。
有旁通关系capac-
itor值和LDO稳压器导通时间，
关闭时间。在应用中快速的器件导
关于时间和关断时间是期望的，值
C
BYP
应减少。
在应用中的低噪声性能和/
或纹波抑制比是少了关注，旁路
电容器可以省略。最快的器件导
上的时间将被实现时，没有旁路电容器
被使用。
该引脚上的直流泄漏会影响LDO稳压
器的输出噪声和电压调节perform-
ANCE 。出于这个原因，使用一个低的泄漏，
高品质陶瓷（ NPO或COG型）或薄膜
电容强烈推荐。
输入电容
通常，一个1μF或更大的电容是推荐使用
ED对C
IN
在大多数应用中。 A C
IN
电容
不需要基本的LDO稳压器的操作。
然而，如果AAT3218物理上位于更
比从输入电源3厘米，一
C
IN
电容器将用于稳定工作。
C
IN
应尽可能靠近器件V
IN
针
实际可能。
IN
值大于
1μF将提供优越的输入线路瞬态响应
并协助最大化尽可能高的
电源纹波抑制比。
陶瓷电容，钽电容和铝电解电容
器可以选择对C
IN
。没有具体的
电容的ESR要求对C
IN
。然而，对于
150毫安LDO稳压器的输出操作，陶瓷
电容器被推荐对C
IN
由于它们的
在钽电容器可承受的固有能力
站输入浪涌电流低阻抗
源，如电池的便携式设备。
输出电容
对于适当的负载电压调节和操作
稳定性，需要销V之间的电容器
OUT
和GND 。了C
OUT
电容连接到
LDO稳压器的接地引脚应作为
作为指导实际可能的最大器件
性能。
该AAT3218是专为功能
化非常低ESR的陶瓷电容。为了获得最好的
性能，陶瓷电容器被推荐。
最大输出典型输出电容值
当前条件范围从1μF到10μF 。
利用极低的输出应用
噪声和最佳的电源纹波抑制
在AAT3218的特点应使用2.2μF或
更大的对C
OUT
。如果需要的话，C
OUT
可以增加
无极限。
在低输出电流的应用场合输出
负荷是小于10毫安，为最小值
C
OUT
可低至0.47μF 。
电容特性
陶瓷电容组成的强烈建
谁料超过所有其他类型的电容器用
与AAT3218 。陶瓷电容器提供了许多
在他们的钽电容和铝elec-优势
trolytic同行。陶瓷电容器通常
具有非常低的ESR ，是成本低，具有更小的印刷电路板
足迹和是非偏振的。线路和负载转录
LDO稳压器的过性反应是由改善
使用低ESR的陶瓷电容。由于陶瓷
电容器是非偏振光，它们不容易出现
不正确的连接损坏。
3218.2004.02.1.0
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