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150毫安微功耗高性能LDO
典型特征
AAT3218
（除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C)
漏失电压与温度的关系
3.20
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
降特性
漏失电压（MV ）
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
V
OUT
(V)
3.00
2.80
2.60
2.40
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 50毫安
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
2.20
2.00
2.70
温度（℃）
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
V
IN
(V)
漏失电压与输出电流
300
90.00
80.00
70.00
地电流与输入电压
漏失电压（MV ）
250
I
GND
(A)
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
2
2.5
3
3.5
4
4.5
85°C
25°C
-40°C
I
OUT
=150mA
I
OUT
=0mA
I
OUT
=50mA
I
OUT
=10mA
输出电流（mA ）
V
IN
(V)
静态电流与温度的关系
100
输出电压与温度的关系
1.203
1.202
静态电流（ μA ）
90
输出电压（V）
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.201
1.200
1.199
1.198
1.197
1.196
-40 -30 -20 -10
0
10 20
30
40
50 60
70 80
90 100
温度（℃）
温度（℃）
3218.2004.02.1.0
5
