位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第673页 > AS7C33128FT32B-10TQI > AS7C33128FT32B-10TQI PDF资料 > AS7C33128FT32B-10TQI PDF资料1第7页
AS7C33128FT32B
AS7C33128FT36B
同步真值表
[4]
CE0
1
CE1
CE2
ADSP
ADSC
ADV
写
[2]
OE
地址进行访问
CLK
手术
DQ
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
X
H
X
H
X
L
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
X
X
H
H
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
H
X
L
X
L
X
L
X
X
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
NA
NA
NA
NA
NA
外
外
外
外
NEXT
NEXT
当前
当前
NEXT
NEXT
当前
当前
外
NEXT
NEXT
当前
当前
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
的LtoH
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
开始阅读
开始阅读
开始阅读
开始阅读
继续阅读
继续阅读
暂停阅读
暂停阅读
继续阅读
继续阅读
暂停阅读
暂停阅读
开始写
继续写
继续写
挂起写
挂起写
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
Q
高阻
Q
高阻
Q
高阻
Q
高阻
Q
高阻
Q
高阻
D
3
D
D
D
D
1 X =无关， L =低， H =高
2对于WRITE中，L是指任何一个或多个字节的写使能信号（BWA ， BWB ， BWC或BWD ）和BWE是LOW或GWE为LOW 。写= HIGH所有BWX ， BWE ， GWE
HIGH 。见"Write使真值表（每字节） ， "第6页了解更多信息。
3对于写操作之后读取时， OE要高的输入数据建立时间和保持整个输入保持时间前高
4 ZZ引脚始终为低电平。
2/8/05; v.1.2
半导体联盟
19第7页
