16兆位内存FlashBank
LE28DW1621T - 80T （ Draft3 ）
11
TRC
地址A19 -A0
TAA
CE＃
TCE
TOE
OE ＃
VIH
WE＃
TCHZ
DQ15-DQ0
高-Z
TCLZ
TOH
数据有效
数据有效
高-Z
TOLZ
tOHZ
28DW1621TS\F3_E
Exsample的话语模式，在字节模式A- 1 =地址输入
图3 ：读周期时序图
内部程序操作开始
TBP
地址A19 -A0
5555
TAH
TWP
WE＃
TAS
OE ＃
TWPH
TDS
2AAA
5555
ADDR
TDH
CE＃
传统文化表现形式
DQ15-DQ0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
tCEH
数据
字
（地址/数据）
28DW1621TS\F4-1_E
Exsample的话语模式，在字节模式A- 1 =地址输入
图4-1 ： WE＃控制Word程序周期时序图
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三洋电机有限公司。半导体公司坂田1-1-1群马县大泉日本
R.1.20 （ 2000年4月27日） No.xxxx -二十分之一十一
