16兆位内存FlashBank
LE28DW1621T - 80T （ Draft3 ）
[AC特性]
读周期时序参数
10
符号
参数
民
8 0
最大
单位
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ
(1)
T
OLZ
(1)
T
CHZ
(1)
T
OHZ
(1)
T
OH
(1)
拉伊德周期时间
CE＃访问时间
地址访问时间
OE ＃访问时间
BE ＃低到有源输出
OE ＃低到有源输出
BE ＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
80
80
80
40
0
0
30
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写，擦除，编程周期，时序参数
符号
T
BP
T
SE
T
LE
T
BE
T
AS
T
AH
T
CES
T
CEH
T
WES
T
WEH
T
OES
T
OEH
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH
T
VDDR
(1)
T
EVA
T
IDA
T
忙
T
RP
T
准备
参数
Word程序时
扇区擦除时间
块擦除时间
银行擦除时间
地址建立时间
地址保持时间
CE＃建立时间
CE＃保持时间
WE＃建立时间
WE＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
WE＃普尔斯低电平宽度
WE＃普尔斯高电平时间
数据建立时间
数据保持时间
V
DD
上升时间
擦除校验录入时间
ID读/退出循环时间
BUSY输出时间
RESET普尔斯宽度
复位恢复时间
500
20
0
50
0
0
0
0
0
0
50
30
50
0
0.1
150
150
80
50
民
最大
20
25
25
100
单位
s
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
s
注： （ 1 ）该参数的测量只为最初的资格和DESGIN一个或过程的变化可能影响这个参数之后。
10
三洋电机有限公司。半导体公司坂田1-1-1群马县大泉日本
R.1.20 （ 2000年4月27日） No.xxxx - 10/20
