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TC58DVM72A1FT00 / TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00 / TC58DAM72F1FT00
注: ( 1 )
CE
高到就绪时间取决于上拉电阻连接到
RY / BY
引脚。
(请参考应用笔记(9)朝向此文档的末尾)。
( 2 )连续读取终止当T
CEH
大于或等于100纳秒。如果
RE
to
CE
延迟
小于30纳秒,
RY / BY
信号保持就绪。
t
CEH
100纳秒
*
*
: V
IH
或V
IL
CE
RE
525
526
527
A
A:0 30纳秒
忙信号不输出。
RY / BY
编程和擦除特性
例(Ta = 0 °至70° C,V
CC
2.7 V至3.6 V )
符号
t
PROG
N
t
BERASE
参数
编程时间
在相同的编程周期数
页面
块擦除时间
2
典型值。
200
最大
1000
3
10
ms
单位
s
(1)
笔记
( 1 ) :请参考应用笔记( 12 )对本文档的末尾。
2003-01-24
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