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TC58DVM72A1FT00 / TC58DVM72F1FT00
TC58DAM72A1FT00 / TC58DAM72F1FT00
交流特性和推荐工作条件
（大
0 °至70° C，V
CC
2.7 V至3.6 V ）
参数
CLE建立时间
CLE保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
t
WW
t
RR
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEA
t
ALEA
t
CEH
t
REAID
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RSTO
t
集体安全条约组织
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
R
t
WB
t
AR2
t
RB
t
CRY
t
RST
民
0
10
0
10
25
0
10
20
10
50
15
100
20
35
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE
高保持时间
WP
高
WE
低
准备
RE
下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE
访问时间（串行数据访问）
CE
访问时间（串行数据访问， ID读）
35
45
ns
ns
ns
Ns
(2)
ALE访问时间（ ID读）
CE
高时间的最后一个地址的串行读周期
RE
访问时间（ ID读）
35
10
30
20
15
0
35
45
0
30
30
25
200
50
200
1+
TR （
RY / BY ）
6/10/500
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
s
s
(1)(2)
数据输出保持时间
RE
高输出高阻抗
CE
高输出高阻抗
RE
高保持时间
输出高阻抗，用于─
RE
下降沿
RE
访问时间（状态读）
CE
访问时间（状态读）
RE
高
WE
低
WE
高
CE
低
WE
高
RE
低
存储单元阵列，以起始地址
WE
高到忙
ALE低
RE
低（读周期）
RE
最后一个时钟上升沿忙（在连续读）
CE
高到就绪（当被打断
CE
在读模式）
器件复位时间（读取/编程/擦除）
AC测试条件
条件
参数
TC58DVxxxxx
输入电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入电平比较
输出数据比较级
输出负载
2.4 V, 0.4 V
3纳秒
1.5 V, 1.5 V
1.5 V, 1.5 V
C
L
（ 100 pF的）
1 TTL
TC58DAxxxx
V
CCQ
-0.2 V, 0.2 V
3纳秒
0.9 V, 0.9 V
0.9 V, 0.9 V
C
L
（ 30 pF的）
2003-01-24
5/34
