IRFAC40 ， IRFAC42
电气连接特定的阳离子
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
之间测量
在联系上的螺丝
法兰是
接近源和
闸门销与所述
的模具中心
修改MOSFET
符号显示的
内部设备
电感
D
L
D
G
L
S
S
测试条件
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的（图11 ）
民
-
典型值
1300
160
30
最大
-
单位
pF
pF
pF
-
5.0
-
nH
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（0.25英寸），从
凸缘和源
焊盘
-
13
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
1.0
30
o
C / W
o
C / W
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
6.2
25
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，V
GS
= 0V时， （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 6.2A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
200
1.8
-
450
3.8
1.5
940
7.9
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 16mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 6.8A 。参见图15，图16 。
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