IRFAC40 ， IRFAC42
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFAC40
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注3 ） （图15，图16 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
600
600
6.2
3.9
25
±20
125
1.0
570
-55到150
300
260
IRFAC42
600
600
5.4
3.4
22
±20
125
1.0
570
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125
o
C
民
600
2.0
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
-
4.0
25
250
单位
V
V
A
A
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注4 ）
IRFAC40
IRFAC42
门源漏
漏极至源极导通电阻（注2 ）
IRFAC40
IRFAC42
正向跨导（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON） MAX
, V
GS
= 10V
6.2
5.4
-
-
-
-
-
±100
A
A
nA
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.4A （图8,9 ）
-
-
-
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.2A ，V
DSS
= 0.8×额定
BV
DSS
, I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14 ， 19 ， 20 ）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
DS
≥
50V ，我
D
= 3.4A （图12）
V
DD
= 0.5V ×额定BV
DSS
, I
D
≈
6.2A ，R
G
=
9.1, R
L
= 47, V
GS
= 10V （图17,18 ）
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
4.7
-
-
-
-
-
0.97
1.2
70
13
18
55
20
40
1.2
1.6
-
20
27
83
30
60
S
ns
ns
ns
ns
nC
-
-
5.5
20
-
-
nC
nC
5-2
