飞思卡尔半导体公司
静态电气特性（续）
特征条件5.0 V下注意
≤
V+
≤
28 V和-40°C
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明。典型值指出反映
近似参数的意思是在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
电源输出（ OUT1 ， OUT2 ）
输出导通电阻
（注17 ）
5.0 V
≤
V+
≤
28 V ，T
J
= 25°C
8.0 V
≤
V+
≤
28 V ，T
J
= 150°C
5.0 V
≤
V+
≤
8.0 V，T
J
= 150°C
有源电流限制门限（通过内部恒定关断时间PWM）上
低端MOSFET
（注18 ）
I
LIM
I
SCH
I
SCL
I
OUT （
泄漏
)
–
–
V
F
–
–
2.0
°C
T
LIM
T
HYS
175
10
–
–
225
30
100
30
200
60
V
R
DS （ ON）
–
–
–
5.2
11
8.0
120
–
–
6.5
–
–
–
225
300
7.8
–
–
A
A
A
A
m
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高侧短路检测阈值
低压侧短路检测阈值
漏电流
（注19 ）
V
OUT
= V+
V
OUT
=地面
输出MOSFET的体二极管正向电压降
I
OUT
= 3.0 A
过温关断
热限制
迟滞
高边电流检测反馈
反馈电流
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 500毫安
I
OUT
= 1.5 A
I
OUT
= 3.0 A
I
OUT
= 6.0 A
I
FB
–
1.07
3.6
7.2
14.4
–
1.33
4.0
8.0
16
600
1.68
4.62
9.24
18.48
A
mA
mA
mA
mA
故障状态
（注20 ）
故障状态泄漏电流
（注21 ）
V
FS
= 5.0 V
故障状态设置电压
（注22 ）
I
FS
= 300
A
笔记
17.
18.
19.
20.
21.
22.
输出导通电阻从输出到V +和地面测量。
有源电流限制的，只适用于低侧MOSFET 。
输出开关OFF与D1或
D2
.
故障状态输出为开漏输出，需要一个上拉电阻到5.0 V.
故障状态泄漏电流测量故障状态和高
不
设置的。
故障状态设定电压测量故障状态LOW和SET与我
FS
= 300
A.
V
FS
（低）
–
–
1.0
I
FS
(
泄漏
)
–
–
10
V
A
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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