
飞思卡尔半导体公司
包装的透明顶视图
36
35
34
33
32
31
30
29
C
CP
V+
V+
OUT2
OUT2
NC
OUT2
OUT2
NC
D1
IN2
EN
V+
V+
NC
AGND
FS
NC
1
2
3
4
5
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7
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9
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11
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21
20
19
NC
D2
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
FB
NC
飞思卡尔半导体公司...
PQFN端子定义
每个终端的功能描述可以在系统/应用信息部分中找到,
第19页。
终奌站
1, 7, 10, 16,
19, 28, 31
2
3
4
5, 6, 12, 13, 34, 35
8
9
11
14, 15, 17, 18
20
21–26
27
29, 30, 32, 33
36
PAD
终奌站
名字
NC
D1
IN2
EN
V+
AGND
FS
IN1
OUT1
FB
保护地
D2
OUT2
C
CP
热
接口
正式名称
无连接
禁止1
逻辑输入控制2
启用
正电源。
模拟地
故障状态的H桥
逻辑输入控制1
H桥输出1
反馈的H桥
电源地
关闭2
H桥输出2
电荷泵电容
裸露焊盘热
接口
德网络nition
该终端无内部连接。
用高电平输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D1为逻辑高电平时,两路输出处于三态。
OUT2的逻辑输入控制(即, IN2逻辑HIGH = OUT2高) 。
逻辑输入使能控制装置(即EN逻辑高电平=全面运作,
EN逻辑LOW =睡眠模式) 。
正电源连接。
低电流模拟信号地。
漏极开路低电平有效故障状态输出,需要一个上拉电阻
5.0 V.
OUT1的逻辑输入控制(即, IN1逻辑HIGH = OUT1高) 。
H桥输出1 。
电流反馈输出,提供以地为参考的1 / 375的比例
H桥的高边电流。
大电流电源地。
采用低电平有效的输入同时三态禁用这两个H桥
输出。当D2为逻辑低电平时,两个输出处于三态。
H桥输出2 。
外部存储电容器连接的内部电荷泵电容。
裸露焊盘的热接口从设备下沉的热量。
记
通过非常低,必须采用直流耦合到模拟地和电源地
为了防止阻抗通路喷射的杂散信号到集成电路衬底。
33887
4
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IN1
V+
V+
OUT1
OUT1
NC
OUT1
OUT1
摩托罗拉模拟集成电路设备数据