位置：首页 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第219页 > GS882Z36B-66 > GS882Z36B-66 PDF资料 > GS882Z36B-66 PDF资料2第13页
初步
.
GS882Z18/36B-11/100/80/66
写入存储器位置可能产生奇偶校验错误。所述存储器的初始化应实施以避免此问题。
在×18 /对x36模式对该SRAM包括写数据的奇偶校验，检查数据进入上写入RAM的有效性
周期。在通过流模式下，数据写入错误报导有数据输入周期的循环。在管道模式，写
数据报告错误，一个时钟周期之后。 （见
写入奇偶校验错误输出时序图。 ）
数据奇偶校验模式（ DP ）引脚
必须连接到高设置RAM检查偶校验或低来检查奇校验。读出的数据的奇偶校验不被选中
RAM中的数据。有效性是最好的数据的目标建立的。奇偶校验错误输出为开漏输出驱动低
以指示奇偶校验错误。多个奇偶校验错误输出引脚可以共享一个共同的上拉电阻。
X32模式（ PE = 1 ）读取奇偶校验错误输出时序图
CK
地址
地址B
地址C
地址
地址电子
地址F
流经模式
DQ
D输出一
TKQ
TLZ
D输出B
太赫兹
tkqx
一个犯错
输出C
D输出
D输出ê
QE
ERR
流水线模式
DQ
D输出一
TKQ
TLZ
D输出B
太赫兹
tkqx
一个犯错
输出C
D输出
QE
ERR
冯： 1.15 6/2001
13/34
1998 ，千兆半导体公司
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com
