IRLM210A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
25
.
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
20
.
BV
DSS
（归一化）
11
.
15
.
10
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =5V
.
GS
2 I = 16 A
.
D
.5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
09
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
D
05
.
2 I = 2 0
A
.
5
08
.
-5
7
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
T
J
，结温[
o
C]
T
J
，结温[C]
图9.最大。安全工作区
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
图10.最大。漏极电流与环境温度
10
.
I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
I
D
，漏电流[ A]
08
.
1 0
s
0
1
0
0
1m
s
1 m
0 s
D
C
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
1
-2
0
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
06
.
1
-1
0
04
.
02
.
1
-3 -1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
V
DS
，漏源电压[V]
T
A
，环境温度[
o
C]
热响应
10
2
D=0.5
0.2
10
1
0.1
0.05
0.02
10
0
0.01
图11.热响应
@注意事项：
1. Z
J A
(t)=69.4
θ
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
A
=P
D M
*Z
P
DM
θ
JA
(t)
Z（ T）
θ
JA
单脉冲
t
1
t
2
10
- 1 - 5
10
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
