N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
1
1
0
V
上图：
GS
IRLM210A
如图2传输特性
1
1
0
I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
I
D
，漏电流[ A]
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
1
0
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
DS
1
-1
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
5
C
- 5
o
C
5
1
-1
0
0
2
4
2 V =4 V
.
0
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
6
8
1
0
1
-1
0
1
0
0
1
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
4
1
1
0
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
3
V =5V
GS
I
DR
，反向漏电流[ A]
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
, [
]
2
1
0
0
1
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
8
1
0
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
0
-1
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
08
.
10
.
12
.
14
.
V =1 V
0
GS
0
0
2
4
6
04
.
06
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
30
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
6
图6.栅极电荷与栅源电压
20
4
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
V =4 V
0
DS
V =0 V
10
DS
4
V =10V
6
DS
电容[ pF的]
10
8
10
2
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
2
6
0
C
RSS
@Nts ： I = 33A
oe
.
D
0
0
2
4
6
0
0
1
0
1
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
