飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP27NQ10T ， PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
快速参考数据
d
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
V
DSS
= 100 V
I
D
= 28 A
g
R
DS （ ON）
≤
50 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PHP27NQ10T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB27NQ10T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
该PHD27NQ10T是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
门
漏
1
来源
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
SOT428 （ DPAK ）
TAB
2
1 23
2
1
3
1
3
漏
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
28
20
112
107
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。
1999年8月
1
启1.000
