飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP27NQ10T ， PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
30
25
20
175 C
15
10
5
TJ = 25℃
VGS = 0 V
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
源极 - 漏极电压， VSDS （V ）
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
20
175 C
15
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
25
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-03
10
1.0E-04
最大
5
1.0E-05
0
0
5
10
15
20
漏极电流ID （ A）
25
30
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.000
