FDFS2P103
典型特征
30
2
-5.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -10V
-I
D
，漏电流（ A）
-6.0V
1.8
V
GS
=-4.0V
1.6
-4.5V
1.4
1.2
1
0.8
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
20
-4.5V
-4.0V
10
-3.5V
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0
6
12
18
24
30
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.25
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -5.3A
V
GS
= -10V
I
D
= -2.8A
0.2
1.4
1.2
0.15
T
A
= 125
o
C
0.1
1
T
A
= 25
o
C
0.05
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
175
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
15
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
T
A
= -55 C
125
o
C
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
12
o
25
o
C
10
V
GS
=0 V
T
A
= 125
o
C
1
9
25
o
C
0.1
6
-55
o
C
0.01
3
0.001
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
，门源电压（ V）
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDFS2P103版本C （ W）
