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MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
s
设备总线操作
操作*
1,
*
2
全备
输出禁用*
3
从Flash中读取*
4
写FLASH
从FCRAM阅读*
5
写FCRAM
临时机构
集团* unprotection的
6
闪存硬件复位
引导块扇区写
保护
FCRAM掉电*
8
CEF CE1S CE2s OE WE的LB瑞银DQ
7
到DQ
0
DQ
15
到DQ
8
RESET
H
H
L
L
L
H
H
H
L
H
H
H
L
L
H
H
H
H
H
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X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
X
X
X
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
X
高-Z
X
X
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
X
高-Z
X
X
V
ID
L
X
X
X
X
L
X
H
X
H
H
H
H
H
WP / ACC
*
7
X
X
X
X
X
注： L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
。请参阅“
直流特性“的电压等级。
* 1 ：除表示该列的其它操作被禁止。
* 2 ：不适用CEF = V
IL
， CE1S = V
IL
和CE2s = V
IH
一次全部。
* 3 ： FCRAM输出禁用状态不应该保持大于1
s.
* 4 ：我们可以将V
IL
如果OE为V
IL
， OE在V
IH
启动写操作。
* 5 ：不支持在读操作FCRAM字节的控制。
* 6 ：也可用于扩展类别组保护。
* 7 ：保护“最外层” 2
×
8千字节（ 4个字）上的引导块扇区的两端。
* 8 ：省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。
6
