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MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
（续）
1.闪存
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。该器件还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ ：热门行业
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ ：底界
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
隐藏ROM （高-ROM ）地区
64字节的Hi- ROM中，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
允许在V保护引导扇区
IL
无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ ： SA69 ， SA70
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ ： SA0 ， SA1 ）
可以去除引导扇区保护在V
IH
.
在VACC ，节目时间将减少40％ 。
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2. FCRAM
功耗
操作：20 mA最大
待机： 70
A
最大
省电： 10
A
最大
掉电控制由CE2s
字节写控制：磅（ DQ
7
-DQ
0
） ，瑞银（ DQ
15
-DQ
5
)
4字地址接入能力
2
