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CY62147DV18
MoBL2
数据保存波形
[9]
wqewqewq
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0 V
V
CC（分钟）
t
R
开关特性
在整个工作范围
[10.]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
我们前高后低-Z
[11]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
16
16
10
20
25
0
55
55
70
70
10
20
25
70
50
50
0
0
45
50
30
0
20
25
10
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[11]
分钟。
55
10
5
10
0
OE高到高Z
[11, 12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
[11, 12]
10
BLE / BHE高到高阻态
55
40
40
0
0
40
40
25
0
10
注意事项：
9. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号，或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05343牧师* B
第11个5
