SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流（ A）
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" （ 12× 12毫米）
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度（℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间， NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容， pF的
50
10
1
0.1
1
10
100
结温（ ° C）
反向电压（ V）
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文档编号88737
11-Feb-02
