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SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源，逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.045盎司， 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
（ BR ）
I
F（ AV ）
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
200
220
V
V
V
V
A
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项：
署长于（ 1 ）导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
（ 2 ）脉冲测试：吨
p
= 300μS ，占空比
≤
2%
文档编号88737
11-Feb-02
www.vishay.com
1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流（ A）
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" （ 12× 12毫米）
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度（℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间， NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容， pF的
50
10
1
0.1
1
10
100
结温（ ° C）
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号88737
11-Feb-02
SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源，逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.045盎司， 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
（ BR ）
I
F（ AV ）
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
200
220
V
V
V
V
A
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项：
署长于（ 1 ）导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
（ 2 ）脉冲测试：吨
p
= 300μS ，占空比
≤
2%
文档编号88737
11-Feb-02
www.vishay.com
1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流（ A）
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" （ 12× 12毫米）
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度（℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间， NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容， pF的
50
10
1
0.1
1
10
100
结温（ ° C）
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号88737
11-Feb-02
SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
软恢复超快塑胶整流器
特点
玻璃钝化结
超快反向恢复时间
低正向压降
低漏电流
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
DO-201AD
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
3.5 A
50 V至200 V
90 A
20纳秒
0.89 V
150 °C
对于高频整流及续流的使用
开关模式转换器和逆变器的应用
消费电子，计算机和电信。
机械数据
案例：
DO-201AD
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
每
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100 μA的最小击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375" （9.5 mm）引线长度在T
L
= 85 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
SBYV28-50
50
35
50
55
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
100
70
100
110
3.5
90
- 55至+ 150
150
105
150
165
200
140
200
220
单位
V
V
V
V
A
A
°C
文档编号： 88737
修订： 22 - OCT- 09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大
瞬时
正向电压
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
最大反向
恢复时间
典型结
电容
I
F
= 0.5 A,
I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
测试条件
T
J
= 25 °C
3.5 A
T
J
= 150 °C
T
A
= 25 °C
I
R
T
A
= 100 °C
T
J
= 25 °C
t
rr
300
20
ns
符号
V
F (1)
0.89
5.0
μA
SBYV28-50
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
1.1
V
单位
C
J
20
pF
记
(1)
脉冲测试： T = 300微秒脉冲的占空比
≤
2 %
p
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJA
(1)
SBYV28-50
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
25
单位
° C / W
记
(1)
导线长度= 8"分之3上P.C.B.与1.5" X 1.5" （38.1毫米× 38.1毫米）铜表面
订购信息
（例）
首选的P / N
SBYV28-200-E3/54
SBYV28-200-E3/73
单位重量（g ）
1.138
1.138
首选包装代码
54
73
基地数量
1400
1000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
6.0
90
正向平均整流电流（ A）
山顶前进
浪涌
电流（A ）
5.0
负载电阻或电感
0.375" （9.5 mm）引线长度
T
L
焊接温度
80
70
60
50
40
30
20
T
J
= 175 °C
10毫秒
单身
半
正弦波
4.0
3.0
2.0
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.47" 0.47" X （12毫米× 12mm）中
铜垫
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
0
1
10
100
温度（℃）
周期数的AT 50赫兹
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 88737
修订： 22 - OCT- 09
SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
100
60
正向电流（A ）
回收
商店
更改/反转
恢复时间， NC / NS
T
J
= 100 °C
10
I
F
= 4.0 A
V
R
= 30 V
50
的di / dt = 150 A / μs的
的di / dt = 100 A / μs的
的di / dt = 20A / μs的
的di / dt = 50A / μs的
的di / dt = 100 A / μs的
的di / dt = 150 A / μs的
的di / dt = 50A / μs的
的di / dt = 20A / μs的
40
1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
30
20
0.1
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压（ V）
结温（ ° C）
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 反向开关特性
1000
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
瞬时反向漏
电流（ μA ）
100
T
J
= 100 °C
10
结电容（pF ）
80
100
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0
20
40
60
1
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
反向电压（ V）
图。 4 - 典型的反向漏电特性
图。 6 - 典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
文档编号： 88737
修订： 22 - OCT- 09
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
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产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
软恢复超快塑胶整流器
特点
玻璃钝化结
超快反向恢复时间
低正向压降
低漏电流
低开关损耗，效率高
DO-201AD
高正向浪涌能力
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机和
电信。
机械数据
案例：
DO-201AD
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
3.5 A
50 V至200 V
90 A
20纳秒
0.89 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100 μA的最小击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375" （9.5 mm）引线长度在T
L
= 85 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
SBYV28-50
50
35
50
55
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
100
70
100
110
3.5
90
- 55至+ 150
150
105
150
165
200
140
200
220
单位
V
V
V
V
A
A
°C
文档编号： 88737
修订： 20 - 8 - 07
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1
SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大
瞬时
正向电压
(1)
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
最大反向
恢复时间
典型结
电容
注意：
（ 1 ）脉冲测试：吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 %
I
F
= 0.5 A,
I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
测试条件
3.5 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
SBYV28-50
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
1.1
0.89
5.0
300
单位
V
I
R
A
T
J
= 25 °C
t
rr
20
ns
C
J
20
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（ 1 ）导线长度= 8"分之3交媾上董事会1.5" X 1.5"铜表面
符号
R
θJA
SBYV28-50
SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
25
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SBYV28-200-E3/54
SBYV28-200-E3/73
单位重量（g ）
1.138
1.138
首选包装代码
54
73
基地数量
1400
1000
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
弹药盒包装
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
6.0
90
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
5.0
负载电阻或电感
0.375" （9.5 mm）引线长度
T
L
焊接温度
80
70
60
50
40
30
20
10毫秒单一正弦半波
T
J
= 175 °C
4.0
3.0
2.0
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" （ 12× 12mm）中
铜垫
0
25
50
75
100
125
150
175
1.0
0
1
10
100
温度（℃）
数
环，在50赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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SBYV28-50通SBYV28-200
威世通用半导体
100
60
正向电流（A ）
恢复存储更改/反转
恢复时间， NC / NS
T
J
= 100 °C
10
I
F
= 4.0 A
V
R
= 30
V
50
的di / dt = 150 A / μs的
的di / dt = 100 A / μs的
40
的di / dt = 20A / μs的
的di / dt = 50A / μs的
的di / dt = 100 A / μs的
的di / dt = 150 A / μs的
的di / dt = 50A / μs的
20
的di / dt = 20A / μs的
1
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
30
0.1
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向
电压
(V)
结温（ ° C）
图3.典型正向特性
图5.反向开关特性
1000
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 100 °C
10
结电容（pF ）
80
100
100
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0
20
40
60
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
反向
电压
(V)
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
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日前，Vishay
放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
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修订： 18 -JUL- 08
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SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
软恢复
超快塑封整流
DO-201AD
反向电压
50 200V
正向电流
3.5A
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合在极高频开关
电源，逆变器和续流二极管
超快恢复时间的高效率
玻璃钝化结
高温焊接保证：
250 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
尺寸以英寸（毫米）
案例：
JEDEC DO- 201AD模压塑料车身超过
钝化芯片
终端：
镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.045盎司， 1.2克
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
在100μA最小反向击穿电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
L
= 85°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷在T
J
= 150°C
典型热阻
(1)
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
（ BR ）
I
F（ AV ）
50
35
50
55
100
70
100
110
3.5
150
105
150
165
200
140
200
220
V
V
V
V
A
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
英镑
90
25
-55到+150
A
° C / W
°C
工作和存储温度范围
电气特性
参数
最大正向电压
在3.5A
(2)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SBYV28-50 SBYV28-100 SBYV28-150 SBYV28-200
单位
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
J
=25°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.1
0.89
5.0
300
20
20
V
A
ns
pF
注意事项：
署长于（ 1 ）导线长度= 3/8 “板带1.5 “ ×1.5 ”铜面
（ 2 ）脉冲测试：吨
p
= 300μS ，占空比
≤
2%
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11-Feb-02
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SBYV28-50通SBYV28-200
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
正向平均整流电流（ A）
6.0
90
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
80
70
60
50
40
30
20
10ms的单一正弦半波
T
J
= 175°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
25
50
75
T
A
，环境温度
P.C.B.安装
0.5× 0.5" （ 12× 12毫米）
铜垫
负载电阻或电感
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
T
L
焊接温度
100
125
150
175
1
10
100
温度（℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
1,000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向漏
电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 100°C
10
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
100
T
J
= 100°C
10
1
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 反向开关
特征
60
100
I
F
= 4.0A
V
R
=30V
di/dt=150A/s
图。 6 - 典型结电容
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
恢复存储更改/反转
恢复时间， NC / NS
di/dt=100A/s
40
30
20
10
t
rr
Q
rr
0
0
25
50
75
100
125
150
175
di/dt=20A/s
di/dt=50A/s
di/dt=100A/s
di/dt=150A/s
di/dt=50A/s
di/dt=20A/s
结电容， pF的
50
10
1
0.1
1
10
100
结温（ ° C）
反向电压（ V）
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STK190-010
SD-A29H0
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SSN16B51R0AQLF13
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