SFP50N06
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
- 结温
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 25 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图9.最高安全工作区
10
3
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
D
，漏电流[ A]
10
2
100
s
40
I
D'
漏电流[ A]
2
1毫秒
10毫秒
10
1
30
DC
20
10
0
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
o
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C'
外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
= 1 .1 5
℃
/ W M A X 。
(t)
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
0 .2
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4/7
